在实际，对于vgs≈vth，仍然存在一个“弱”反演层，并且有一定的电流从d流向s。即使对于vgs < vth, id也是有的，但它呈指数依赖于vgs。这种效应被称为“亚阈值效应”

2022年9月25日 · 讨论了VGS和VDS对ID的影响，解释了MOS管在开关应用中的工作原理，特别是在饱和区的电流控制作用。 同时，介绍了MOS管的开启电压、反型层的形成以及沟道夹断现象。 以某65N041器件为例，通过分析其曲线，来分析 MOS管 的工作特性。 一、转移特性曲线 (VGS-ID曲线) 说明的是栅极电压VGS对ID的控制作用。 从上图曲线可得到： 1、测试条件：VDS=20V； 2、VGS的开启电压VGS (th)，约5V，且随着温度的升高而降低； 3、VGS需要达到10V以 …

2023年8月4日 · 迁移率 的提取方法：根据线性区源漏电流的表达式，取VDS为较小的值，如0.1V时，做ID-（VGS-Vth）的曲线，求该曲线的斜率，即可求出迁移率μn的值。 线性区公式

2019年6月11日 · VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。 设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。 实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。 三、ID-连续漏电流: ID定义为芯片在最大额定结温TJ (max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。 该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的 函数： ID中并不包含开关损耗， …

2019年9月27日 · MOS管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。 上图四项指标，项是导通延时时间，第二项是上升时间，第三项是关闭延时时间，第四项是下降时间。

2024年8月16日 · id-vg曲线，即漏源电流-栅源电压特性曲线，是理解金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）工作状态的重要工具。 通过这条曲线，可以解析MOSFET的多种重要特性和工作状况，对于电路设计和分析至关

2019年5月18日 · 下图是 MOS 管的 IDS 和 VGS 与 VDS 之间的特性曲线图，类似三极管。 下面我们先从器件结构的角度看一下 MOS 管的开启全过程。 1、Vgs 对MOS 管的开启作用. 一定范围内 Vgs>Vth， Vds<Vgs-Vth， Vgs 越大，反型层越宽，电流越大。 这个区域为 MOS 管的线性区（可变电阻区）。 即： Vgs 为常数时，Vds 上升，Id 近似线性上升，表现为一种电阻特性。 Vds 为常数时，Vgs 上升，Id 近似线性上升，表现出一种压控电阻的特性。 即曲线左边. 2、Vds …

2024年10月26日 · 转移特性曲线描绘了在保持VDS值不变的情况下，MOS晶体管的源漏电流IDS如何随栅源电压VGS变化的图形。 提取阈值电压有两种方法：恒电流法在转移特性曲线上找到电流等于宽度除以长度乘以100亿分之一时对应的栅极电压；曲线外推法则通过饱和区源漏电流与栅源电压的关系式，选取较大的VDS值使晶体管进入饱和区，绘制Sqrt (ID)-VGS曲线，反向延长该曲线与X轴的交点即为阈值电压。 迁移率的提取通过线性区源漏电流表达式，选取较小的VDS值，绘 …

2019年5月20日 · 本篇介绍rohm推出mosfet的重要特性–栅极阈值电压、id-vgs特性、以及各自的温度特性。其中，使mosfet导通的电压称为“栅极阈值”。当vgs恒定的话，id会随温度上升而増加， ...

2022年7月18日 · Cadence提供了强大的计算器功能，你可以利用它来计算gm/Id的比值，并通过PlotSignal功能直接在界面上生成gm/Id曲线图。 观察此 曲线 的变化趋势，你可以分析 MOS FET的工作状态，如线性区、饱和区和截止区的转换点。