半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解； - 知乎
2024年2月18日 · 刻蚀技术是SiC器件研制中的一项关键支撑技术,在SiC器件制备过程中,刻蚀工艺的刻蚀精度、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留物均对SiC器件的研制和性能有致命的影响。目前, SiC材料的刻蚀多采用干法刻蚀,其中电感耦合等离子体(ICP)刻蚀广泛应用,其特点是低压高密度 ...
碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法 - 知乎 - 知乎专栏
2024年2月29日 · SiC晶体生长是SiC衬底生产的核心工艺，核心难点在于提升良率。 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相传输法(Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高温化学气相沉积法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法(Liquid Phase Epitaxy)等。
工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎 - 知乎专栏
SiC单晶片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）和超精密抛光（化学机械抛光）。 01 切割. 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度 ...
第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述 - CSDN博客
2023年12月31日 · SiC衬底晶片的制备; 在第三代半导体中，SiC的主要用途为制造衬底晶片和外延片。将高纯度SiC粉体在特殊工艺下生成SiC晶体，过切割、研磨、抛光、清洗等工序，制成SiC衬底晶片。SiC衬底晶片经过外延生长、器件制造等环节，可制成SiC基功率器件和微波射频器件。
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区
2022年12月1日 · 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。
深入探讨碳化硅工艺：半导体材料的新一代继承者
2016年3月9日 · SiC材料的特殊性和特殊的器件用途与使用环境，使得SiC器件的制作工艺与Si以及GaAS器件工艺存在一定的差异，因此要研制高质量的SiC器件或提高现有器件的性能指标，必须首先深入研究相应的关键工艺技术。
顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术详解
在降本需求催动下，需要将一个大的碳化硅（SiC）晶锭切成尽可能多的薄碳化硅（SiC）晶圆衬底，同时随着晶圆尺寸不断增大(目前8英寸晶圆已有量产，下一步将拓展12英寸晶圆的生长），这些都对切割工艺的要求提出了更高的标准。
第三代半导体——碳化硅材料之制程与分析-EDN 电子技术设计
2022年7月28日 · 如图6所示，其制程是以高纯度多晶SiC (polycrystalline silicon carbide)粉末为原料(source)，并将其加热使其升华产生气体(Si、C、Si 2 C及SiC 2)，其气体会在低温区的单晶SiC晶种(Monocrystalline SiC Seed Crystal)上进行沉积，进而制得高纯度单晶。目前为工业中制作SiC最快、最大 ...
一文看懂碳化硅晶片加工及难点 - 艾邦半导体网
一、碳化硅晶片生产工艺流程. 碳化硅晶片生产流程. 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（pvt）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（cvd法）等生成外延片，最后制成相关器件。
半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解； - 知乎专栏
2024年2月1日 · 这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定，受加工技术的制约，目前 SiC 衬底的加工损耗极高、效率极低，并且很难获得高表面质量的SiC衬底片,因此,亟需开发先进的衬底加工工艺。SiC衬底的加工主要分为切割、研磨和抛光，下面将展开具体分析。