
关于PN结击穿的一些问题? - 知乎
首先pn结的维持是依靠pn各区的少子的漂移运动和在pn结形成的空间电场下少部分突破其势垒逃逸的多子的扩散运动。 漂移运动的少子和扩散运动的多子数目相同,那么,此时因为少子是半导体自身共价键本征激发所形成的载流子,与掺杂浓度无关。
为什么PN结正接,空间电荷区变窄,而不是变宽? - 知乎
当pn结正向偏置时,即给pn结加由p区指向n区的 正向电压 ,那么这个电压所产生的 电场 就会抵消内部电场(方向跟内部电场相反),(电压所产生的电场)同时导致远离电荷区的p区空穴和n区 自由电子 向电荷区移动,抵消了电荷区靠近p区的 负电荷 和靠近n区的 ...
PN结的P区和N区到底是电中性还是呈现正负电性? - 知乎
2023年7月3日 · pn结中,正电荷和负电荷总体是相等的,整体还是电中性。 在耗尽层(也叫空间电荷区),自由电子和空穴复合,基本没有自由移动的电荷了,只剩下离子区,N区那边是正离子区,P区那边是负离子区,从而形成内电场,电场方向从N区指向P区。
为什么 pn 结的结深越浅,雪崩击穿电压就越小? - 知乎
pn结由p型半导体和n型半导体组成,当对pn结施加反向偏压时,p型区的空穴和n型区的电子分别被拉向各自的电极,从而在pn结的交界处形成一个耗尽区。 耗尽区是一个几乎不含自由载流子(空穴和电子)的区域,因此具有较高的电阻。
pn结的原理? - 知乎
2、非平衡状态pn结能带图:施加偏压V后,能带整体抬升(正偏压V>0)或下降(反偏压V<0),费米能级由相等变为相差qV。 E_{Fn} 在n型中性区、空穴扩散区以及势垒区,准费米能级被认为几乎不变,而在p型电子扩散区,准费米能级逐渐下降接近价带,直至与 E_{Fp ...
一个关于pn结的扩散电流与漂移电流的问题? - 知乎
以硅pn结为例。 p区为掺了3族元素的半导体硅。在常温下,p区的能自由移动的带正电荷的空穴浓度与掺杂的3族元素(例如铝)浓度相等,而每一个空穴对应一个带负电荷的铝离子,铝离子不能移动。p区也有电子,但浓度可以忽略不计。
PN结中漂移远动和扩散远动什么意思? - 知乎
2021年1月6日 · 针对pn结我想先说下课本中没有讲明白的几点. 1,空穴本身不存在,是自由电子挣脱束缚形成的,所以内建电场什么多子少子扩散其实还是电子从n区边界扩散到p区边界,那么n区边界就因为少了电子而整体呈现+性,而p区边界呈现-性,这样就形成了一个内电场,这个内电场不可能无限扩大,因为它 ...
西门子PN/PN耦合器学习应用系列(1)-外观及接线 - 知乎
1、pn/pn耦合器的外观及其总线适配器 PN/PN耦合器是具有两套PROFINET接口的通信设备,可以连接两个PROFINET网络并进行数据交换。 PN/PN耦合器的好处在于它连接的两个PROFINET网络在电气上是相互隔离的,这样当我们的系统需要与工厂其它系统进行信号交互时,不用 ...
我理解的半导体 pn 结的原理,哪里错了? - 知乎
当pn结形成的时候,p型半导体和n型半导体直接接触。 之前曾经讲过热平衡时同一块半导体材料会具有统一的费米能级,所以当PN结形成时,半导体的能带会发生弯曲,使得P型和N型半导体的费米能级能够统一。
如何从PN结的电流方程来理解其伏安特性曲线和温度对伏安特性的 …
pn结里面有两种运动:扩散运动和漂移运动。 扩散运动是由于掺杂的的杂质的浓度差产生的运动。 把P型和N型放到一起时,它们的交界面,由于两种载流子的浓度差很大,P区的空穴向N区扩散,N区的自由电子也向P区扩散,如上图所示。