首先pn结的维持是依靠pn各区的少子的漂移运动和在pn结形成的空间电场下少部分突破其势垒逃逸的多子的扩散运动。 漂移运动的少子和扩散运动的多子数目相同，那么，此时因为少子是半导体自身共价键本征激发所形成的载流子，与掺杂浓度无关。

当pn结正向偏置时，即给pn结加由p区指向n区的 正向电压 ，那么这个电压所产生的 电场 就会抵消内部电场（方向跟内部电场相反），（电压所产生的电场）同时导致远离电荷区的p区空穴和n区 自由电子 向电荷区移动，抵消了电荷区靠近p区的 负电荷 和靠近n区的 ...

2023年7月3日 · pn结中，正电荷和负电荷总体是相等的，整体还是电中性。 在耗尽层（也叫空间电荷区），自由电子和空穴复合，基本没有自由移动的电荷了，只剩下离子区，N区那边是正离子区，P区那边是负离子区，从而形成内电场，电场方向从N区指向P区。

pn结由p型半导体和n型半导体组成，当对pn结施加反向偏压时，p型区的空穴和n型区的电子分别被拉向各自的电极，从而在pn结的交界处形成一个耗尽区。 耗尽区是一个几乎不含自由载流子（空穴和电子）的区域，因此具有较高的电阻。

2、非平衡状态pn结能带图：施加偏压V后，能带整体抬升（正偏压V>0）或下降（反偏压V<0），费米能级由相等变为相差qV。 E_{Fn} 在n型中性区、空穴扩散区以及势垒区，准费米能级被认为几乎不变，而在p型电子扩散区，准费米能级逐渐下降接近价带，直至与 E_{Fp ...

以硅pn结为例。 p区为掺了3族元素的半导体硅。在常温下，p区的能自由移动的带正电荷的空穴浓度与掺杂的3族元素（例如铝）浓度相等，而每一个空穴对应一个带负电荷的铝离子，铝离子不能移动。p区也有电子，但浓度可以忽略不计。

2021年1月6日 · 针对pn结我想先说下课本中没有讲明白的几点. 1，空穴本身不存在，是自由电子挣脱束缚形成的，所以内建电场什么多子少子扩散其实还是电子从n区边界扩散到p区边界，那么n区边界就因为少了电子而整体呈现+性，而p区边界呈现-性，这样就形成了一个内电场，这个内电场不可能无限扩大，因为它 ...

1、pn/pn耦合器的外观及其总线适配器 PN/PN耦合器是具有两套PROFINET接口的通信设备，可以连接两个PROFINET网络并进行数据交换。 PN/PN耦合器的好处在于它连接的两个PROFINET网络在电气上是相互隔离的，这样当我们的系统需要与工厂其它系统进行信号交互时，不用 ...

当pn结形成的时候，p型半导体和n型半导体直接接触。 之前曾经讲过热平衡时同一块半导体材料会具有统一的费米能级，所以当PN结形成时，半导体的能带会发生弯曲，使得P型和N型半导体的费米能级能够统一。

pn结里面有两种运动：扩散运动和漂移运动。 扩散运动是由于掺杂的的杂质的浓度差产生的运动。 把P型和N型放到一起时，它们的交界面，由于两种载流子的浓度差很大，P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子也向P区扩散，如上图所示。