基本原理：pmos要形成p沟道(pnp)，所需载流子为空穴，开关速度慢——【助记】p上面"o"类似空穴； nmos要形成n沟道(npn)，所需载流子为电子e，开关速度快——【助记】n转90度类似"e"； 理解记忆 / …

现在我们开始制作一个N-well。 首先，通过光刻得到NW层的mask，刻蚀出N-well的位置后，进行 离子注入 。 这里取决于工艺和注入强度，有时候我们会分别进行几次注入。

2021年10月19日 · A solution is to isolate the NMOS devices by using an extra well – a ‘deep N well’. So in figure 2 the NMOS device is fabricated in a P well or substrate completely surrounded by an N type diffusion.

前面第2步已经通过离子注入定义了P/N-Well。 如果没有定义，实际上到这一步也可以操作，工艺原理类似，通过光刻胶阻挡，分别进行离子注入。 15.

The process steps involved in the n-well process are shown in Figure below. The process starts with a p-substrate. Step 1 : A thin layer of SiO 2 is deposited which will serve as a the pad oxide. Step 2 : Deposition of a thicker sacrificial silicon nitride layer by …

2018年5月10日 · 4.N-well制作过程. 4.1将硅晶片表面氧化，方法有两种1.置于空气中（干氧）2.与水反应（湿氧）。氧化过程一定要精确控制。 4.2在氧化层上加光阻，为了增加光阻与氧化层的附着力通常会吧光阻加热烘干。再放上适当的光罩。 4.3显影蚀刻. 4.4去光阻. 下图是做好了 ...

CMOS can be obtained by integrating both NMOS and PMOS transistors over the same silicon wafer. In N–well technology an n-type well is diffused on a p-type substrate whereas in P- well it is vice- verse. The CMOS fabrication process flow is conducted using twenty basic fabrication steps while manufactured using N- well/P-well technology.

2022年12月26日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。 于一般的 PMOS 而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。 DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的，因此能削弱相互之间的影响。 因为这个阱比一般的N well要深很多，所以称为deep N well。 除了电位上的隔离，比如 …

2023年6月7日 · 有时候 (其实是大多时候) 需要把 PMOS 做进Nwell, 把NMOS做进Pwell里, 而Pwell 是在Nwell里, 这样的多阱工艺也称为 tub (也就是洗澡盆), 这其实就是高压BCD工艺最基本的构造. 最后这章介绍了一下DRC rule, 也就是不同N-well之间有最小间距. 文章浏览阅读2.1k次，点 …

2. N-Well and P-Well Definiton. 定义N-Well和P-Well，左边区域进行硼离子注入，形成P-Well，右边区域进行磷离子注入，形成N-Well。