集成电路制造工艺——HKMG - 知乎 - 知乎专栏
2021年11月6日 · HKMG此技术的定义简单的可以如下文表述，利用HK介质材料代替SiON和利用金属栅取代多晶硅栅的技术称为HKMG工艺技术。 这里有两个点：1）采用High k介质材料代 …
28PS, 28HKC+、28HKD介绍 - CSDN博客
2024年4月1日 · smic28hkc 工艺是上海微电子设备有限公司（smic）推出的一种先进 cmos 工艺，属于 28 纳米工艺。它是在普通的 28 纳米 cmos 工艺的基础上增加了高 k 金属栅 …
聚焦HKMG工艺，探究中国28nm制程技术升级路径 - 知乎
作为28nm制程的主要技术方向之一，采用“ 金属栅极 （Metal Gate）+ 高介电常数绝缘层 (High-k)”的栅结构（以下简称“HKMG”），能够有效解决栅介质薄弱导致的漏电或多晶硅栅耗尽效应 …
集成电路HKMG工艺简介（Gate First/Gate Last） - 知乎专栏
2024年4月13日 · 所谓HKMG分为HK和MG两部分，HK指的是栅氧化物用 高介电常数材料 （High-K材料，常用HfO2）替代传统的SiO2或SiON，在不改变等效氧化层厚度（EOT）的情况下， …
【半导体先进工艺制程技术系列】HKMG工艺技术（上）-CSDN博客
2022年10月8日 · 公司最先进的制程技术为28纳米，采用Poly-SiON和HKMG双工艺方法，这在全球晶圆制造企业中是少数几家能够完全掌握的技术之一。 这种 技术 的 先进 性使得和舰芯片 …
Research on Hot Carrier Injection Optimization of 28HKMG …
In this study, the critical role of metal gate work function metal (WFM) removing process is investigated in 28 nm HKMG technology. It’s found that HCI performance of IO NMOS is …
Gate-Stack Engineering to Improve the Performance of 28 nm …
2021年7月27日 · In this study, a gate-stack engineering technique is proposed as a means of improving the performance of a 28 nm low-power (LP) high-k/metal-gate (HK/MG) device. In …
28 nm high-k-metal gate ferroelectric field effect transistors based ...
2023年7月1日 · This work focuses on evaluating the performance of 28 nm HKMG FeFET devices in the synaptic core of a multi-layer perception (MLP) based neural network. The …
中芯国际-中芯国际推出28纳米HKMG制程 与联芯打造智能手 …
中芯国际是中国大陆首家能够同时提供28纳米多晶硅（PolySiON）和HKMG制程的晶圆代工企业。 与传统的PolySiON制程相比，中芯国际28纳米HKMG技术将有效改善驱动能力，进而提升晶 …
中芯国际-SMIC和Synopsys交付28纳米HKMG低功耗参考流程
这款针对28纳米高介电金属栅极工艺技术（HKMG）而开发的流程，由中芯国际和Synopsys深度合作研发完成。 该流程基于 Synopsys公司的Galaxy™设计平台，采用了IC Compiler™ II布局及 …