Superior switching performance results in higher efficiency and lower system cost, which enable the implementation of GaN technology in more and more applications. In the next years the GaN market is expected to grow significantly, and more and more companies will implement GaN in …

本文介绍了硅基氮化镓(GaN-on-Si)在功率设计应用中的优点，并讨论了硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)技术之间的主要差异，以及英飞凌的CoolGaN™ HEMTS的特点和优势。

本文介绍了在 usb-c pd 充电器和适配器设计中使用 gan hemt sr 的方法。首先，我们对市场上最常 见的充电器和适配器拓扑作了概述和比较。接着介绍了同步整流特性，以及有关使用 gan hemt sr 的 设计技巧。最后，我们介绍了英飞凌的 65 w full gan acf 转换器评估板 ...

GaN switches in half-bridge configuration with dedicated gate drivers in a common package.

相比背对背硅fet，使用40 v gan bds的优点包括节省50% - 75%的pcb面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本。 CoolGaN™ Smart Sense产品具有2 kV静电放电耐受能力，可连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护。

在《白皮书下载 | 高功率密度充电器和适配器的全 GaN 解决方案》（下）中，我们接着介绍了同步整流特性，以及有关使用 GaN HEMT SR 的设计技巧。最后，我们介绍了英飞凌的 65 W Full Gan ACF 转换器评估板。

功率 mosfet 是具有极高栅极阻抗的 mos 器件，在握持、测试或安装到电路中 时，会因静电放电而损坏。 MOSFET 的 ESD 损坏通常发生在栅源电压高到足以在栅电介质产生电弧时。

漏极到源极场横向终止，其多个终止位置位于 gan hemt 器件表 面，这与 sj mosfet 相比，更可能因湿度而致腐蚀，而 sj mosfet 仅在器件周边终止源极到漏极电 位。 制定 gan hemt 鉴定计划时，必须考虑硅和 gan 器件结构和材料系统之间的所有差异。

高边 EiceDRIVER™ GaN 栅极驱动器将确保高压氮化镓开关的运行稳健高效，同时可最大限度地降低研发投入，缩短产品上市时间。 英飞凌的隔离式 EiceDRIVER™ GaN 栅极驱动器 IC 可提供负 VGS 电压，从而在开关瞬态期间实现安全关断。

电源系统核心: CoolMOS™ 7 – CoolSiC™ – CoolGaN™ CoolMOS™ 7 是英飞凌推出的最新一代高压超级结MOSFET，将为能源效率、功率密度和易用性设定新的标准。