ALD可分为等离子ALD（PE-ALD）和热ALD（Thermal-ALD），区别在于PE-ALD使用离子体前驱物，反应不需要加热， 器件损伤小，主要用于沉积低k材料等介质；Thermal ALD需要加热来发生反应，在高温下进行反应，沉积速率较快，薄膜致密性好，但是高温可能损伤薄膜，主要 ...

2025年2月1日 · Plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD), which is recognized for its low-temperature process, high uniformity, conformal deposition, and precise control of film thickness at the atomic layer, has been an indispensable component of the semiconductor industry for nearly three decades.

ALD： 成膜均匀性好、致密无孔洞、台阶覆盖特性好、可在低温进行（室温—400℃）、可简单 精确控制薄膜厚度 、广泛适用于不同形状的基底、无需控制反应物流量均匀性。 但缺点是成膜速度较慢。 如用于生产纳米结构的绝缘体 (Al2O3/TiO2)和薄膜电致发光显示器（TFEL）的硫化锌 (ZnS)发光层。 综述： 薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。 这层膜可以有各种各样的材料，比如绝缘化合物二氧化硅，半导体多晶硅、金属铜等。 用来镀膜的这个设备就叫薄膜 …

2014年3月5日 · Atomic layer deposition (ALD) is a key technology enabler of nanoscale memory and logic devices owing to its excellent conformality and thickness controllability. Plasma-enhanced ALD (PE-ALD) allows deposition at significantly lower temperatures with better film properties than in conventional thermal ALD.

等离子体增强原子层沉积（pe-ald）是对ald技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ald对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至 ...

原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition,ALD）是一种特殊的 化学气相沉积 薄膜技术，是通过将气相前驱体交替地通入反应室并在基底表面发生气-固化学反应形成薄膜的一种薄膜方法。

Plasma-enhanced ALD, or PE-ALD, had its start in the 90s and is now a standard offering by ALD equipment suppliers. It mitigated some limitations of thermal ALD and opened the door for new materials, processes, and applications. Learn here the basics of plasma-enhanced ALD, how it differs from thermal ALD and where Beneq is using the technique.

Plasma Enhanced ALD uses a down stream plasma system to deliver reactive plasma gases as a co-reactant to the metal-organic precursors. A couple of useful links that help navigate ALD research in general (not specific to the SNF) are: www.plasma-ald.com: a website created by Dr. Mark Sowa that has a survey of plasma ALD literature www ...

2024年1月29日 · ALD 技术主要分为 TALD、PEALD、SALD 三种. ALD 目前有多种实现方式，其中包括热原子层沉积法（T-ALD）、等离子辅助沉积 法（PE-ALD）和空间原子层沉积法（S-ALD）。 T-ALD 是最早出现的 ALD 方法之一， PE-ALD 是一种结合了等离子体技术的 ALD 变体， S-ALD 在空间尺度上对反应过程进 行精准控制，目前量产主要为 T-ALD 与 PE-ALD。 光伏 ALD 适用多条技术路线，微导纳米为国内龙头。

2024年4月20日 · 原子层沉积（Atomic Layer Deposition，简称ALD）是一种用于在材料表面沉积薄膜的先进技术。 它能够以原子层级的精确控制薄膜的厚度和组成，广泛应用于半导体、 光伏 、光学涂层、催化剂和生物医学等领域。 ALD的原理. ALD技术基于循环的自限制表面反应，每个循环包括两个或多个脉冲-等待步骤。 在每个步骤中，一种化学前驱体（通常是气态的化合物）被引入到反应室中，与基底表面的特定吸附层发生反应。 然后，将反应室中的气体排出并引入另 …