DDR2 SDRAM - Wikipedia
For use in computers, DDR2 SDRAM is supplied in DIMMs with 240 pins and a single locating notch. Laptop DDR2 SO-DIMMs have 200 pins and often come identified by an additional S in their designation. DIMMs are identified by their peak transfer capacity (often called bandwidth).
内存笔记之DIMM与DDR - CSDN博客
2022年10月27日 · ddr2 sdram是由jedec(电子设备工程联合委员会)开发的第三代sdram内存技术标准，1.8v工作电压，240线接口，提供了相较于ddr sdram更高的运行效能与更低的电压，同样采用在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但拥有两倍于上一代ddr内存预读取能力( …
DDR2 SDRAM - 维基百科，自由的百科全书
DDR和DDR2的关键区别是：DDR2内存单元的核心频率是等效频率的1/4（而不是1/2）。这需要一个4-bit-deep的预取队列，在不改变内存单元本身的情况下，DDR2能有效地达到DDR数据传输速度的两倍。
DIMM内存是啥？和我们说的DDR有啥关系？ - 什么值得买
2020年4月11日 · 2019年的时候，华硕、芝奇、Zadak还一起搞过一个非JEDEC标准，也就是 DC-DIMM （Double Capacity DIMM） ，就是所谓的“双倍容量条”，可以把内存容量上限提升一倍，
DIMM内存是什么内存？DIMM和DDR有什么不一样？|Crucial(英 …
DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块），是在单列直插存储器模块(single inline memory module,SIMM)的基础上发展起来的，SIMM提供32位数据通道，而DIMM则提供了64位的数据通道。
DIMM 内存是什么？和 DDR 有何关系？ - VVavE
2022年8月28日 · 2019年的时候，华硕、芝奇、Zadak还一起搞过一个非JEDEC标准，也就是DC-DIMM（Double Capacity DIMM），就是所谓的“双倍容量条”，可以把内存容量上限提升一倍，
DIMM与DDR有什么区别 - 知乎 - 知乎专栏
2023年2月2日 · DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块），是在单列直插存储器模块(single inline memory module,SIMM)的基础上发展起来的，SIMM提供32位数据通道，而DIMM则提供了64位的数据通道。
DIMM - Wikipedia
As of Q2 2017, Asus has had a PCI-E based "DIMM.2", which has a similar socket to DDR3 DIMMs and is used to put in a module to connect up to two M.2 NVMe solid-state drives. However, it cannot use common DDR type ram and does not have much support other than Asus.
什么是双列直插式内存模块 (DIMM)？| IBM
支持 DDR、DDR2、DDR4 和 DDR5 标准的 DIMM 变体一应俱全。 此外，非易失性 DIMM (NVDIMM) 甚至可以支持专门的非易失性 RAM 选件，即使没有电源也能保留数据，从而加快 灾难恢复，例如意外的系统崩溃。 DIMM 还通过支持单错校正、双错检测 (SECDEC) 协议等 ECC 方法来帮助进行灾难恢复，SECDEC 协议将额外的比特与数据传输中使用的比特分开，以验证和纠正在传输过程中可能出现的任何不准确之处。 DIMM 与现代计算硬件共同发展，并已实现标准 …
What is the difference between DDR, DDR2, DIMM, SODIMM, …
2019年7月23日 · Currently there are two standards for these various DIMM types: DDR (Double Data Rate) and DDR2 (Double Data Rate2). The DDR2 is essentially an upgraded version of the DDR standard that allows for memory modules with lower power consumption, greater heat dissipation, increased speed capabilities, larger memory capacities, and increased performance.