当pn结正向偏置时，即给pn结加由p区指向n区的 正向电压 ，那么这个电压所产生的 电场 就会抵消内部电场（方向跟内部电场相反），（电压所产生的电场）同时导致远离电荷区的p区空穴和n区 自由电子 向电荷区移动，抵消了电荷区靠近p区的 负电荷 和靠近n区的 ...

2、非平衡状态pn结能带图：施加偏压V后，能带整体抬升（正偏压V>0）或下降（反偏压V<0），费米能级由相等变为相差qV。 E_{Fn} 在n型中性区、空穴扩散区以及势垒区，准费米能级被认为几乎不变，而在p型电子扩散区，准费米能级逐渐下降接近价带，直至与 E_{Fp ...

pn结由p型半导体和n型半导体组成，当对pn结施加反向偏压时，p型区的空穴和n型区的电子分别被拉向各自的电极，从而在pn结的交界处形成一个耗尽区。 耗尽区是一个几乎不含自由载流子（空穴和电子）的区域，因此具有较高的电阻。

1、pn/pn耦合器的外观及其总线适配器 PN/PN耦合器是具有两套PROFINET接口的通信设备，可以连接两个PROFINET网络并进行数据交换。 PN/PN耦合器的好处在于它连接的两个PROFINET网络在电气上是相互隔离的，这样当我们的系统需要与工厂其它系统进行信号交互时，不用 ...

2023年7月3日 · pn结中，正电荷和负电荷总体是相等的，整体还是电中性。 在耗尽层（也叫空间电荷区），自由电子和空穴复合，基本没有自由移动的电荷了，只剩下离子区，N区那边是正离子区，P区那边是负离子区，从而形成内电场，电场方向从N区指向P区。

是指pn结中在漂移运动和扩散运动双重影响下载流子的数量非常少的一个高电阻区域。 在室温附近，对绝大部分的势垒区，其中杂质虽然都已经电离，但是这里面载流子的浓度相比起n区和p区的多子浓度少的多，实际是载流子被电场扫到对应的n和p区，就好像在 ...

当在pn结两端施加正向电压（即p端接电源正极，n端接电源负极），外部电场的方向与内建电场所产生的电场方向相反。 具体来说，正向电压使得P区相对于N区处于较高的电势，这有助于推动N区的电子更容易越过结点进入P区，同时促使P区的空穴进入N区。

2021年1月6日 · 针对pn结我想先说下课本中没有讲明白的几点. 1，空穴本身不存在，是自由电子挣脱束缚形成的，所以内建电场什么多子少子扩散其实还是电子从n区边界扩散到p区边界，那么n区边界就因为少了电子而整体呈现+性，而p区边界呈现-性，这样就形成了一个内电场，这个内电场不可能无限扩大，因为它 ...

pn结里面有两种运动：扩散运动和漂移运动。 扩散运动是由于掺杂的的杂质的浓度差产生的运动。 把P型和N型放到一起时，它们的交界面，由于两种载流子的浓度差很大，P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子也向P区扩散，如上图所示。

2022年9月2日 · 这个问题我以前也纠结过。我的建议是，不要把加反压理解为pn结被施加了反向电压，而是“使pn结处于两端存在负压差的状态”，然后看这个压差是怎么分布，未击穿情况下电流近似为0，pn结的线性电阻区压降近似为0，那么压降主要是分布在空间电荷区，而单位宽度空间电荷区的电场强度可以大致 ...