在今年的 IEDM 上，报告了一项重大突破：GaN IMPATT RF 振荡器实现了 60 GHz 的振荡，输出功率为 12.7 dBm。 斯坦福大学团队带头开展设计和制造工作，在边缘端接、基板减薄和器件封装方面引入了关键工艺创新。 QuinStar团队负责电路设计，并使用其行业标准设置进行RF ...

然而，事情并非如此简单：为了在SiC制造领域站稳脚跟，就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃，生长速度至少比Si慢200倍，这就需要大量的能量。另一方面，GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备，GaN外延 ...

为了解决上述两个挑战，斯坦福大学团队与QuinStar技术公司合作，开发了体GaN衬底减薄工艺，并将二极管与IIa型金刚石散热片集成封装。 减薄工艺 ...

10年来，Qorvo已经从一家射频公司，成长为总市值近70亿美元的全球领先的连接和电源解决方案供应商，业务范围也从射频一路扩张至Wi-Fi/UWB、电源管理、电机驱动、压力传感等多个领域，这些技术在移动设备、卫星通信、消费电子 ...

如今，半导体巨头已能利用先进封装技术生产出CPU或GPU多裸片组件，实现出色的密度、能效和性能。然而，Chiplet的真正潜力在于使复杂硅片系统的设计大众化。 芯粒(Chiplet)革命即将到来。多裸片科学项目从实验室起步，如今已逐渐成熟。像AMD、英特尔或NVIDIA ...

在实际系统设计中，器件输出电流能力往往受限于芯片的散热，在器件设计中也有可能受限端子，这可以从封装中的大电流规格器件中看出，其电流受绑定线（引线）的限制。 如IKQ150N65EH7，一个TO-247封装的150A 650V单管，其集电极直流电流在T c =25℃时和T c =100 ...