前言2025年春季亚洲充电展于3月28日在深圳前海国际会议中心启幕，展会吸引了122家企业参展，覆盖电源芯片、功率器件、被动元件及工厂、品牌等快充产业全链路于一体。值得关注的是，本次参展企业中包含14家第三代半导体领域的技术领先企业。这些企业具备深厚 ...

英飞凌针对硅基MOSFET、SiC、GaN器件也有相似的对比图——且基于英飞凌目前在三个领域都涉足，就实际应用角度来看，英飞凌对这三者的划分可能也更有说服力，具体如下图： ...

在快充技术飞速发展的今天，全新USB PD3.1标准的发布将USB-C快充功率提升到了240W这个全新高度，为高功率充电带来了新的可能性。240W快充的普及将不仅仅局限于消费电子领域，它还将推动工业、医疗、交通等多个行业的发展。

Mazda Motor Corporation (以下简称“马自达”)与ROHM Co., Ltd. (以下简称“罗姆”)开始联合开发采用下一代半导体技术——氮化镓 (GaN)功率半导体的汽车零部件。

作为国内领先的功率半导体解决方案提供商，微碧半导体始终专注于MOSFET、IGBT及第三代半导体（SiC/GaN）等核心产品的研发与 ...

而在产品创新上，英诺赛科不断推出具有竞争力的新产品，产品矩阵上实现多维度突破。报告期内，中低压 (15-200v)GPU终端供电等产品在汽车及AI领域获大客户导入；高压1200V大功率器件实现突破并完成客户送样；低压GaN双向导通产品销量同比增长97%，高压双向导通产品开发成功，并完成客户送样。同时，推出氮化镓合封产品，可应用于数据中心、电动汽车及机器人伺服电机电源等。

中国第三代半导体领军企业英诺赛科（2577.HK）发布2024年度业绩。从财务表现来看，英诺赛科2024年实现销售收入828.5百万元，较2023年相0比增长39.8%。此外，公司2024年的整体毛亏损率较2023年的-61.6%大幅改善至-19.5%，提升42.1个百分点。

纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET，它的工作原理是基于栅源电压的控制。当栅源电压大于导通电压时，两个MOS管都处于导通状态，电流从N1的源极流向N2的漏极，再从N2的源极回到N1的漏极；当栅极电压小于截止电压时，两个MOS管都处于截止状态，电路中的 ...

普源精电（RIGOL）推出的MHO2000系列以功能完整、性能强大的特点，将显著降低用户多功能测试平台建设的复杂度和成本。 NX7013 是一款4A异步双节可调充电IC，它控制片外NMOS 导通，当检测外部电路检测电阻RCS 设置上限时，片外NMOS 截止，电感电流下降，电感中的 ...