ASML的担忧似乎成真了。ASML首席执行官曾表示，美国的制裁可能会促使中国自主研发出先进的技术。当时许多人认为这只是恭维之词，甚至有人觉得他是为了销售光刻机而吹捧中国。然而，不到两年时间，国产光刻机再次实现了重大突破。

3月24日消息，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光源波长一致。相关论坛已经于本月初被披露在了国际光电工 ...

作为光刻机的领头羊，ASML的DUV光刻机采用的是Arf准分子激光技术，这种技术通过氩气和氟气混合产生不稳定分子，释放193nm波长的深紫外光。但这种技术存在三大问题。

“图纸给你们也造不出！ ”这是ASML曾对中国芯片专家的嘲讽。然而2025年3月25日，中国科学院宣布的固态深紫外（DUV）激光技术，不仅让这句傲慢的预言沦为笑柄，更意味着中国半导体产业正式向3nm工艺发起冲锋。

中国科学院近日宣布在激光技术领域取得重大突破，成功研发出固态深紫外（DUV）激光源。这款创新性的激光源能够发射出与当前主流DUV曝光技术波长相同的193纳米相干光，为半导体工艺提升至3纳米节点提供了有力支持。

2025 年 3 月 26 日，我回答了一个包含不实信息的糟糕科技新闻类问题： 这个问题后来被知乎冻结了。我当时的回答如下： 全固态 DUV（深紫外）光源在理论上具有比当前主流 DUV ...

中国科学院成功研发全固态DUV光源技术。 近日，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent ...

快科技3月25日消息，据悉，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV (深紫外)激光，可发射19 3nm 的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至 3nm 。

中国DUV光刻机亮相，能造出三纳米芯片，性能不输ASML ...

重大突破，中科院的DUV光刻技术厉害了，希望早点走出实验室！

据国际光电工程学会（SPIE）报道，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射193纳米的相干光（Coherent Light），与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光源波长一致。

IT之家 3 月 25 日消息，据国际光电工程学会（SPIE）消息，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 nm 的相干光（Coherent ...