近日，南京理工大学材料学院曾海波、陈翔教授团队在后摩尔时代芯片关键沟道材料研究领域取得重大突破，成功开发出高性能二维 P 型半导体材料 β-Bi2O3 。相关成果以“ Vapour–liquid–solid–solid growth of ...