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中关村在线
4 天
三星官宣改良12nm内存 良品率只有60%
三星电子决定改进其12nm级DRAM内存产品,以应对良率和性能的双重挑战。该公司将在2024年底开始生产这种新型12nm级DRAM,称为D1B-P。该项目专注于改善 ...
IT之家
4 天
为应对内存良率、性能困局:消息称三星从头设计新版 1b nm DRAM
IT之家1 月 21 日消息,韩媒 ETNews 今日报道称,三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局,已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。 据悉该新版 12nm 级 DRAM 工艺项目名为 D1B-P(IT之家注:P 为 Prime 的简写 ...
chip
8 天
Lenovo ThinkBook 14 G7 ARP im Test
Das HOI Ride+ Stone ist ein Ergometer der deutschen Marke Kettler. Der Hersteller gibt zwar an, dass das Gerät nur bis zu 130 Kilogramm belastbar ...
IT之家
4 天
三星电子否认重新设计 1b DRAM,力求提升性能和良率
IT之家昨日援引 ETNews 报道,三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局,已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。 市场观察人士认为,三星修改 1b DRAM 设计的决定源于竞争压力。SK 海力士和美光已在 HBM 中 ...
21ic
26 天
英特尔2024技术篇章:矢志探索,砥砺前行
实现超快速的芯片间封装(chip-to-chip assembly); •栅极长度为6纳米的硅基RibbonFET CMOS晶体管,在大幅缩短栅极长度和减少沟道厚度的同时,在对短沟道效应的抑制和性能上达到了业界领先水平; •用于微缩的2D GAA晶体管的栅氧化层模块,进一步加速GAA技术创新。
21ic
11 天
STM32二进制逻辑运算,与或非和异或
[导读]STM32内部自带了一个可编程电压检测器(PVD),对VDD的电压进行监控可以通过电源控制寄存器PLS[ 2:0 ]位来设置监控电压的阀值,这样通过与VDD电压比较达到了监控电压的目的。 STM32内部自带了一个可编程电压检测器(PVD),对VDD的电压进行监控可以通过电源控制 ...
快科技
27 天
长鑫国产HBM2内存重大突破!DDR5良率明年底可达90%
当然,三星、SK海力士等的DDR5内存已经升级到12nm工艺,所以长鑫仍有很大的提升空间。 此外,长鑫还在大力推进HBM高带宽内存,一方面提升一代HBM ...
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