Advanced assemblies have enabled an unprecedented rate of advancement in the data center, especially for neural processing, ...

三星电子（Samsung Electronics）三星计划于2025年开始量产2纳米制程，并在2027年推进至1.4纳米。 技术采用MBCFET（多桥通道FET）技术，这是三星对GAA晶体管的独特实现方式，利用纳米片以垂直方式堆叠，提升性能和能效。 三星已于2022年成功量产3纳米GAA制程，为2纳米技术的开发积累了宝贵经验。 率先在3纳米节点引入GAA技术，展示了其在先进制程上的创新能力。