GaN 器件将低损耗开关性能和高速完美结合,是能够在兆赫兹地区实现超高带宽的新兴开关电源。这些类型的电源可以提高整体效率,从而为射频基站功率放大器以及相控阵雷达的发射/接收 (T/R) 模块等应用提供快速瞬态响应。
电动汽车 (EV) 越来越受欢迎,因为精明的消费者,尤其是在加利福尼亚州,认识到出色的加速性能的优势,例如,当红绿灯变绿时,汽油动力汽车可能会被尘土甩砸。这是因为电动机在驾驶员踩下油门的那一刻就会产生峰值扭矩。然而,与内燃机 (ICE) ...
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盖世汽车 on MSN罗姆推出采用紧凑、高散热TOLL封装的650V GaN HEMT盖世汽车讯 2月27日,半导体制造商罗姆(ROHM Semiconductor)宣布开发出采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V GaN ...
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