前言近年来，随着人工智能、云计算及高密度电源需求的爆发式增长，功率电子系统对效率、功率密度及热管理的挑战日益严峻。传统硅基MOSFET受限于材料特性，在高压、高频场景下的性能瓶颈逐渐显现。氮化镓（GaN）技术凭借其宽禁带特性、高电子迁移率及低开关损耗 ...