GaN互补逻辑性能的一个关键瓶颈是p-沟道FET与成熟n-FET的互补。GaN p-FET的最大漏极电流通常小于10mA/mm。这与镁（Mg）作为电子受体产生正空穴电荷载流子的性能较差有关。

立中集团（300428）于3月7日在互动平台上表示，联合北京大学研发的全球首款ALN多晶复合衬底项目正在稳步推进。这一创新产品将为第三代半导体领域提供新的技术解决方案，具有广泛的市场应用前景。

为探究 Ta 2 AlN、Ti 2 AlN 和 Ti 2 GaN MAX 相材料性能，研究人员用 DFT 方法，发现其多方面特性，具应用潜力。 在材料科学的广阔领域中，新型材料的探索一直是科研人员关注的焦点。自 2004 年二维（2D）材料被发现以来，其凭借出色的电子和光电子性能，在材料科学 ...

Aluminum nitride (AlN) has an even wider bandgap of ... Raytheon already has plenty of experience in integrating GaN and GaAs ...