GaN互补逻辑性能的一个关键瓶颈是p-沟道FET与成熟n-FET的互补。GaN p-FET的最大漏极电流通常小于10mA/mm。这与镁(Mg)作为电子受体产生正空穴电荷载流子的性能较差有关。
立中集团(300428)于3月7日在互动平台上表示,联合北京大学研发的全球首款ALN多晶复合衬底项目正在稳步推进。这一创新产品将为第三代半导体领域提供新的技术解决方案,具有广泛的市场应用前景。
为探究 Ta 2 AlN、Ti 2 AlN 和 Ti 2 GaN MAX 相材料性能,研究人员用 DFT 方法,发现其多方面特性,具应用潜力。 在材料科学的广阔领域中,新型材料的探索一直是科研人员关注的焦点。自 2004 年二维(2D)材料被发现以来,其凭借出色的电子和光电子性能,在材料科学 ...
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tom's Hardware on MSNU.S. DARPA responds to China's gallium export controls: awards Raytheon three-year contract ...Aluminum nitride (AlN) has an even wider bandgap of ... Raytheon already has plenty of experience in integrating GaN and GaAs ...
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