但是尽管近几年中国的发展速度是飞快的，到那时不少美国网友还是感觉中国的科技进步并不快，甚至扬言没有美国的同意中国是怎么敢研制DUV光刻机的？ 其中，一位中国网友的发言可谓是十分的振奋人心：在面对美国科技封锁的情况下，中国并没有选择退缩，然而是迎难直上 ...

在美论坛上，一位美国网友的帖子引发了广泛关注。他质问：'没有得到美国的允许，中国为何敢私自研发DUV光刻板？'这一问题不仅暴露了美国网友对中国科技发展的无知，也凸显了中国在科技自主创新道路上的决心与实力。

FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示 基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出 。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机，采用 SADP 自对准双重曝光实现。

IT之家 3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。FAMES ...

这两家中国巨头一直在利用深紫外光（DUV）设备开发图案刻蚀技术，使中芯国际能够生产符合美国出口规则的节点，同时保持之前宣布的 7 纳米节点 ...

在设备销售方面，ASML全年共售出418台光刻机，其中包括44台极紫外（EUV）光刻机和374台深紫外（DUV）光刻机。此外，公司还交付了165台计量与检测 ...